科技日报报道,我国在芯片制造领域取得重大突破，中国原子能科学研究院自主研发的首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功实现出束，其核心性能达到国际先进水平，这一成就标志着我国在串列型高能氢离子注入机全链路研发技术上取得全面突破，有效攻克了功率半导体制造链中的关键技术难题，为推动高端制造装备的自主可控和保障产业链安全奠定了坚实基础。
离子注入机作为芯片制造中的“四大核心装备”之一，其重要性不言而喻，过去，我国高能氢离子注入机完全依赖进口，技术壁垒高，严重制约了我国相关产业的升级，中国原子能科学研究院凭借在核物理加速器领域的深厚积累，利用串列加速器技术成功破解了一系列技术难题，实现了从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的垄断，显著提升了我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，为我国实现“双碳”目标和加速新质生产力的发展提供了强有力的技术支撑。
